片式电容还在朝着多元化的方向发展：①为了适应便携式通信工具的需求，片式电容器正向低电压、大容量、超小和超薄的方向发展。②为了适应某些电子整机(如军用通信设备)的发展，高耐压、大电流、大功率、超高Q值、低ESR型的中高压片式电容器也是目前的一个重要的发展方向。③为了适应线路高度集成化的要求，多功能复合片式电容器正成为技术研究热点。

1 片式叠层陶瓷介质电容器 在片式电容器里用得最多的是片式叠层陶瓷介质电容器。

片式叠层陶瓷电容器(MLCC)，简称片式叠层电容器(或进一步简称为片式电容器)，是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层(外电极)，从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器，如图1所示。

图1表明，片式叠层陶瓷电容器是一个多层叠合的结构，其实质是由多个简单平行板电容器的并联体。因此，该电容器的电容量计算公式为

C=NKA/t

式中，C为电容量；N为电极层数；K为介电常数(俗称K值)；A为相对电极覆盖面积；t为电极间距(介质厚度)。

由此式可见，为了实现片式叠层陶瓷电容器大容量和小体积的要求。只要增大N(增加层数)便可增大电容量。当然采用高K值材料(降低稳定性能)、增加A(增大体积)和减小t(降低电压耐受能力)也是可以采取的办法。

这里特别说一说介电常数K值，它取决于电容器中填充介质的陶瓷材料。电容器使用的环境温度、工作电压和频率、以及工作的时间(长期工作的稳定性)等对不同的介质会有不同的影响。通常介电常数(K值)越大，稳定性、可靠性和耐用性能越差。

常用的陶瓷介质的主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。其特点是介质系数较大、介质损耗低、温度系数小、环境温度适用范围广和高频特性好，用在要求较高的场合(I类瓷介电容器)中。

另一类是低频高介材料称为强介铁电陶瓷，常用作Ⅱ类瓷介电容器的介质，一般以BaTiO3为主体的铁电陶瓷，其特点是介电系数特别高，达到数千，甚至上万；但是介电系数随温度呈非线性变化，介电常数随施加的外电场也有非线性关系。

目前最常用的多层陶瓷电容器介质有三个类型：COG或NPO是超稳定材料，K值为10～100；X7R是较稳定的材料，K值为2 000～4 000；Y5V或Z5U为一般用途的材料，K值为5 000～25 000。在我国的标准里则分为I类陶瓷(C C 4和CC41)及Ⅱ类陶瓷(CT4和CT41)两种。上述材料中，COG和NPO为超稳定材料，在-55℃～+125℃范围内电容器的容量变化不超过± 30ppm/℃。

其余材料是按其工作温度的范围和电容量的变化率来命名的。详见表1。

几种常用的片式电容器的介质材料中：

X7R代表使用温度范围为-50℃至+125℃；在此范围内的电容量变化可达到±15%。

Z5U代表使用温度范围为+10℃至+85℃；在此范围内的电容量变化从-56%至+22%。

Y5V代表使用温度范围为-30℃至+85℃；在此范围内的电容量变化从-82%至+22%。

这些关系表明，在实际使用时，对片式电容器选择不能一味只考虑体积和价格，如果有使用的环境温度问题，还应当注意电容器的介质带来的电容量变化问题。图2画出了不同材质电容器电容量以及介质损耗随温度变化的曲线。